三星电子加速 NAND 闪存定制，推出优化吞吐量与随机性能的 zNAND-T 与 zNAND-I

IT之家获悉，韩媒 ZDNET Korea 当地时间 10 月 12 日报道，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 外，新增两款型号分别为 zNAND-T 与 zNAND-I。其中，zNAND-T 的“T”代表 Throughput（吞吐量）。该产品类似于闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念，旨在为数据中心 AI 半导体的需求优化读写带宽表现。技术架构上，zNAND-T 采用 TSV（硅通孔）堆叠 NAND Die 的工艺设计，以突破传统堆叠技术的性能瓶颈，从而在高速数据传输场景下提供更优的吞吐量体验。而 zNAND-I 的“I”则是象征随机性能指标 IOPS 的简写，该型号强调在少量数据频繁读写操作中的卓越表现。KV Cache 卸载被明确列为此类应用场景的典型代表。在此类高频随机读写任务中，zNAND-I 能够显著降低延迟并提升系统整体响应速度。两款新品的推出意味着三星电子的 NAND 闪存产品线进一步细分，三种 zNAND 型号（O、T、I）各司其职，分别对应不同的应用负载需求。这一举措也反映出 NAND 闪存行业正从通用型产品逐步转向高度定制化的趋势，以更好地适应人工智能和数据中心多样化的算力需求。