国际首款高密度大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片成功

封面为AI生成的主题示意图，非新闻现场照片。

2026年10月12日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号”（MountTai 2026）的流片。该芯片标志着企业将新型存储芯片技术从早期研究推向Gb级产品化的重要里程碑。“泰山一号”采用28nm CMOS工艺平台与1T4R单元结构，单芯片容量达1Gb，密度达到30Mb/mm²，访问延时小于20ns。芯片集成了片上硬件纠错电路，在实现大容量、高密度的同时确保了高速读取性能。该技术路线通过多个阻变存储单元共享选择晶体管，显著降低了单位面积内的晶体管面积开销。与CMOS平台完全兼容的后道集成方式，使其在密度、容量和成本控制方面取得平衡，为片上高密度大容量非易失存储应用提供了解决方案。针对电路与架构层面的核心技术挑战，“泰山一号”首次验证了多项自主创新技术。包括引入负压设计与统一复位电路以抑制漏电流，设计多电压域字线驱动电路实现高、低压读写路径解耦，以及开发片上自适应跟随读取电路提升读可靠性。目前，“泰山一号”已完成流片并正在推进验证阶段。作为源自中国科学院刘明院士团队的核心企业，铭芯启睿积极响应国家《电子信息制造业发展“十五五”规划”，持续增强自主研发产品体系。在政策与技术的双重驱动下，铭芯启睿正布局三条产品线：嵌入式RRAM IP、高密度大容量RRAM以及结合DRAM的混合存算技术。这些产品旨在满足从显示驱动到具身智能、AI PC等场景对存储与计算协同的需求，助力筑牢中国存算底座。