SK 海力士预测：到 2030 年 AI 基础设施性能规模将增长约 20 倍

封面为AI生成的主题示意图，非新闻现场照片。

在首尔江南区举办的第 28 届韩国半导体大展（SEDEX 2026）上，SK 海力士开发总管安炫发表主旨演讲，预测到 2030 年人工智能基础设施的性能规模将增长约 20 倍。

安炫指出，当前 AI 推理市场正面临任务复杂度提升、单次处理信息量激增以及推理请求量井喷的三重扩张压力。这些因素相互交织，导致数据迁移成为制约性能提升并推高系统能耗的全新瓶颈。

随着存储容量需求膨胀，特别是用于保存前序处理信息的键值缓存（KV Cache）持续扩大，系统必须将数据分摊存储于高带宽内存 HBM、DRAM 及 SSD 等不同介质中。

针对单一芯片性能提升的局限，SK 海力士强调亟需采取优化整个存储层次结构的全局方案。该公司在持续优化现有 HBM 性能的同时，正全力推进下一代存储技术的研发。

其中，3D 堆叠 DRAM 技术旨在通过在逻辑芯片之上直接堆叠存储单元，大幅跃升传输性能并降低能耗；而高带宽闪存（HBF）则将硅通孔立体堆叠与高速 I/O 接口技术导入 NAND 闪存。

SK 海力士的目标是将 HBF 的带宽做到同代 HBM 的 50% 左右，同时实现约 10 倍的容量扩容，从而在 HBM 与 DRAM 之间开辟全新的存储层级。

该预测基于 AI 推理需求暴增带来的海量数据存储与迁移任务，反映了行业对构建更高速、低能耗存储架构的迫切需求。